Amptek 收购了一家硅晶圆制造商，能更好的提升性能。这种探头具有低噪声，低漏电流，更好的电荷收集。探头之间有更好的一致性。
   FAST SDD 是 AMPTEK 性能最好的 SDD，在保证分辨率的同时，最大计数率超过 1,000,000CPS。FASTSDD 同样可以搭载 C 系列（Si3N4）低能窗口。

概述

传统 SDDs 内部使用结晶型场效应管（JFET），密封在 TO-8 封装中，外接前放。FAST SDD 使用带前放的互补金属氧化物半导体（CMOS），封装在 TO-8 中。FAST SDD 使用 MOSFET 代替了 SDD 中的JFET。这样降低了电容，有更低的系列噪声，在很短的成型时间下提升
分辨率。可以更好的分辨重叠峰。更短的成型时间能够更好的提高计数率，数据更稳定。

规格参数

通用
探头类型	带 CMOS 前放的硅漂移探头（SDD）
探头大小	25mm2 准直到 17mm2 亦可 70mm2 准直到 50mm2
硅晶体厚度	500um
准直器	内部准直器（ML）
5.9keV 处 55Fe 能量分辨率	峰化时间 4us 时，分辨率为 122-129eV
峰背比	>20000:1（5.9keV 与 1keV 计数比）
探头窗口	Be:0.5mil(12.5um)或 0.3mil(8um)  C 系列（Si3N4）
准直器	内部多层准直器
电荷灵敏前置放大器	CMOS
增益稳定性	<20ppm/℃
外壳尺寸 探头模块 XR-100 盒子 X123 盒子 OEM	TO-8 封装（高 0.64in 包括 pin 脚，直径0.6in） 3.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm) 3.94 x 2.67 x 1.0 in (10.0 x 6.78 x 2.54 cm) 不同配置
重量 探头模块 XR-100 X-123 OEM	0.14 盎司（4.1g） 4.4 盎司（125g） 6.3 盎司（180g） 不同配置
总功率	<2W
质保期	1 年
使用寿命	取决于实际使用情况，一般 5-10 年
仓储和物流	长期存放：干燥环境下 10 年以上 仓储和物流：-40℃到+85℃，10%到 90%湿 度，无凝结
工作条件	-35℃到+80℃
	TUV 认证 认证编号：CU 72072412 02 检测于：UL61010-1:2004 R7.05 CAN/CSA-C22.2 61010-1:2004
输入
前放电源 XR-100FastSDD-70 OEM 配置	±8V@15mA，峰值噪声不超过 50mV。 PA210/PA230 或 X-123：±5V
探头电源 XR-100FastSDD-70	-100 到-180V@25uA，非常稳定，变化<0.1%
制冷电源 电流 电压	最大 450mA 最大 3.5V，峰值噪声<100mV
注： XR-100FastSDD-70 包含它自身的温度控制器
输出
前放 灵敏度 极性 输出上升时间 反馈	典型的 3.6mV/keV（不同的探头灵敏度不同） 正输出信号（最大 1KΩ负载） <35ns 复位型
温度监控灵敏度	根据配置不同而变化 当使用 PX5，DP5，或 X-123 时，直接通 过软件读取开尔文温度

   能量分辨率和计数率：这张图显示了 AMPTEK 探头在不同脉冲成型时间下5.9kev 处的能量分辨率与输出计数率的关系。这些都是在完全制冷（220k）时的典型值。比如，峰化时间9.6us(即 4.0us 的成型时间)，死时间 50%时的输出计数率是 18kcps。
   能量分辨率，效率，和 X 射线能量：这张图显示了不同 X 能量射线的固有效率（顶）和能量分辨率（底）。在底部图中，黑线曲线代表“Fano 带宽”，Si 探头的理论极限，由电荷产生过程中的量子涨落引起。彩色曲线是 Fano 带宽和在最优化条件下（完全制冷和长的峰化时间）固有电子噪声的组合。在较低能端，探头的选取是很重要的，因为 Fano 带宽主要受制于高能端。
   在顶端图中，低能端的效率主要取决于通过窗口和探头死层的传输。高能端的效率主要取决于探头的深度。在 2 到 30kev 之间，推荐使用 Be窗的 Si 探头，更低能端应用推荐使用 C1 或 C2 窗口，30kev 以上最好的推荐是 CdTe 探头。

应用谱图